[发明专利]用于生长Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法以及用于Ⅲ族氮化物半导体晶体的生长装置有效
| 申请号： | 200810188586.3 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101469452A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 宫永伦正;水原奈保;谷崎圭祐;佐藤一成;竹内久雄;中幡英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 氮化物 半导体 晶体 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，该方法通过对包含III族氮化物半导体的材料进行升华以及对所升华的材料气体进行沉积，所述方法包括以下步骤：准备包括热屏蔽部的腔，所述热屏蔽部用于屏蔽来自所述腔中的所述材料的热辐射；将所述材料设置在所述腔中的所述热屏蔽部的一侧；以及通过加热要被升华的所述材料以及在所述腔中的所述热屏蔽部的另一侧上沉积所述材料气体，来生长所述III族氮化物半导体晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810188586.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
