[发明专利]沟槽栅MOSFET及其制造方法无效
| 申请号： | 200810188832.5 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101471381A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 金希大 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种沟槽栅MOSFET及其制造方法，包括：在半导体衬底上方形成第一外延层；在第一外延层上方形成第二外延层；在第二外延层上方形成本体区；通过在本体区上实施离子注入工艺，在部分本体区中形成圆形截面，以便本体区的底部区具有圆形截面。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种器件，包括：第一导电型半导体衬底；第二导电型第一外延层，在所述第一导电型半导体衬底上方形成；第二导电型第二外延层，在所述第二导电型第一外延层上方形成；第一导电型本体区，在所述第二导电型第二外延层上方形成；沟槽，这些沟槽相隔离地形成在所述第一导电型本体区中；栅极，掩埋在每个所述沟槽中；第二导电型发射极区，这些第二导电型发射极区形成在所述第一导电型本体区中；以及接触孔，在邻近的第二导电型发射极区之间的所述第一导电型本体区中形成，其中，在所述接触孔下方形成的、并且与所述第二导电型第二外延层接触的所述第一导电型本体区的底部具有圆形截面。
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