[发明专利]蚀刻量计算方法和蚀刻量计算装置有效
申请号: | 200810188835.9 | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101488456A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 齐藤进 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/66 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供即便加上干扰也能够稳定正确地计算蚀刻量的蚀刻量计算方法和蚀刻量计算装置。在用掩膜(131)形成沟槽(132)的晶片(W)的蚀刻中,将激光(L1)照射在晶片(W)上,接受叠加了掩膜干涉光和沟槽干涉光的叠加干涉光,计算叠加干涉波,提取将现在定时T作为终点的窗波形,从用熵法对该窗波形实施频率分析得到的频率分布检测沟槽干涉光,使窗的终点只偏离Δt并反复进行叠加干涉波的计算、窗波形的提取、窗波形的频率分析和沟槽干涉周期的检测,每次反复都对检测出的沟槽干涉周期进行累计平均,根据该累计平均了的沟槽干涉周期计算沟槽(132)的蚀刻量。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 计算方法 计算 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种蚀刻量计算方法,在用掩膜形成凹部的基板蚀刻中计算所述凹部的蚀刻量,其特征在于,包括:照射步骤,将光照射在所述基板上;受光步骤,接受至少来自所述掩膜的反射光和来自所述凹部的底部的反射光的干涉光叠加在其它干涉光上的叠加干涉光;干涉波计算步骤,根据所述接受的叠加干涉光计算叠加干涉波;波形提取步骤,从所述叠加干涉波提取规定期间的波形;频率分析步骤,对所述提取的波形实施频率分析;干涉周期检测步骤,根据通过所述频率分析得到的频率分布检测来自所述掩膜的反射光和来自所述凹部的底部的反射光的干涉波的周期;累计平均步骤,使所述规定期间偏离规定时间并反复进行所述干涉波计算步骤、所述波形提取步骤、所述频率分析步骤和所述干涉波周期检测步骤,每次反复都对所述检测出的干涉波的周期进行累计平均;和蚀刻量计算步骤,根据所述累计平均了的干涉波的周期计算所述凹部的蚀刻量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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