[发明专利]制造薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 200810189135.1 | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101471265A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 金亨骏;申东勋;李秀京;李政珉;朴旺濬;柳成龙;金薰 | 申请（专利权）人： | 微传科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;艾变开 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种制造具有改善的电流特性和高电子迁移率的薄膜晶体管的方法。根据所述方法，当非晶硅薄膜通过金属诱导晶化而晶化为多晶硅薄膜时，可优化非晶硅薄膜的退火条件和掺杂到非晶硅薄膜中的金属催化剂的量，以减少在多晶硅薄膜晶界处分布的金属硅化物的区域。此外，提供氧(O2)气体或水(H2O)蒸汽以在多晶硅薄膜的表面上形成钝化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在绝缘衬底上形成非晶硅薄膜，使所述非晶硅薄膜晶化以形成多晶硅薄膜，向所述多晶硅薄膜的表面供给氧(O2)气体或水(H2O)蒸汽以在所述多晶硅薄膜上形成作为钝化膜的氧化物膜(第一钝化)，图案化所述多晶硅薄膜和所述钝化膜以将所述多晶硅薄膜转化为有源层，在所述多晶硅薄膜和所述钝化膜上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上形成栅电极，并将所述多晶硅薄膜分为与所述栅电极相对的沟道区以及由所述沟道区分隔的第一和第二区域，将p-型或n-型掺杂剂注入所述第一和第二区域以形成源极/漏极区，在所述栅电极和所述栅极绝缘膜上形成层间绝缘膜，蚀刻所述层间绝缘膜、所述栅极绝缘膜和所述钝化膜，以形成分别与所述源极区和漏极区接触的第一接触孔和第二接触孔，和形成通过所述第一和第二接触孔分别与所述源极区和所述漏极区接触的源电极和漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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