[发明专利]光电转换装置的制造方法

摘要

本发明名称为光电转换装置的制造方法。在单晶硅衬底中形成脆弱层，在单晶硅衬底的表面一侧形成第一杂质硅层，在其上形成第一电极。在将支撑衬底的一表面和第一电极贴合之后，沿着脆弱层分离单晶硅衬底，以在支撑衬底上形成单晶硅层。在进行单晶硅层的结晶缺陷修复处理或结晶缺陷去除处理之后，使用至少包含硅烷类气体的原料气体，由在大气压或接近大气压的压力下产生的等离子体使原料气体活性化，来使单晶硅层外延生长。在外延生长的单晶硅层的表面一侧形成第二杂质硅层。

主权项

1. 一种光电转换装置的制造方法，包括如下步骤：在离单晶硅衬底的一表面有预定的深度的区域中形成脆弱层；在所述单晶硅衬底的表面一侧形成第一杂质硅层；在所述第一杂质硅层上形成第一电极；配置支撑衬底和所述单晶硅衬底，以便将所述支撑衬底的一表面和所述单晶硅衬底的一表面彼此相对；至少中间夹着所述第一杂质硅层和所述第一电极将所述单晶硅衬底和所述支撑衬底贴合；通过进行热处理，沿着所述脆弱层或所述脆弱层附近分离所述单晶硅衬底，以在所述支撑衬底上形成单晶硅层；进行所述单晶硅层的结晶缺陷修复处理；由在大气压或接近大气压的压力下产生的等离子体使至少包含硅烷类气体的原料气体活性化，来使得一边以所述单晶硅层为种子层外延生长一边形成硅层；以及在所述外延生长的单晶硅层中的表面一侧形成第二杂质硅层。