[发明专利]二段式太阳能电池的制造方法

摘要

本发明提出了一种二段式太阳能电池的制造方法，包括：制造基板；在基板上形成掩膜层，并在所述掩膜层表面制成开口；在掩膜层下方植入杂质，且位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度；进行杂质活化；在表面形成反射防止膜并形成电极。本发明仅采用一次离子植入结合一次热扩散技术。通过控制掩膜层的厚度来控制不同区域植入掺杂离子的浓度，使电极下方形成高浓度层，其他区域形成低浓度层，然后经过热扩散激活植入的离子。本发明提出的方法，能够仅采用一次植入和热扩散，实现与现有的二段式太阳能电池相同的技术参数，具有更好的接触电阻、较高的转换效率，同时又能减少生产工艺步骤、降低成本。

主权项

一种二段式太阳能电池制造方法，包括：步骤1、制造基板；步骤2、在基板上形成掩膜层，并在所述掩膜层表面制成开口；步骤3、在掩膜层下方植入杂质，并使位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度；步骤4、进行杂质活化；步骤5、在表面形成反射防止膜并形成电极。