[发明专利]半导体薄片及其制备方法无效
| 申请号： | 200810189563.4 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101509143A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | R·容奇克 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C30B1/00 | 分类号： | C30B1/00;C30B28/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;李家麟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体薄片及其制备方法。提供了一种半导体材料薄片(28)，其包含下表面和上表面。该半导体材料薄片通过下述制备过程形成，包括形成具有下表面(36)和相对的上表面(38)的第一硅粉(34)层(32)，在所述第一层的上表面上放置第二层(40)，其中第二硅粉(42)层具有下表面(44)和相对的上表面(46)并且具有与第一硅粉层基本相同的熔点，以及加热第一和第二硅粉层至少其中之一以引起第一和第二硅粉层其中之一受控的熔化，以及引起第一和第二硅粉层至少其中之一结晶(43)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体材料薄片(28)，包括下表面和上表面，上述半导体材料薄片的制备过程包括：形成具有下表面(36)和相对的上表面(38)的第一硅粉(34)层(32)；在所述第一层的上表面上放置第二层(40)，其中第二硅粉(42)层具有下表面(44)和相对的上表面(46)并且具有与第一硅粉层基本相同的熔点；以及加热第一和第二硅粉层至少其中之一，以引起第一和第二硅粉层其中之一受控的熔化，以及引起第一和第二硅粉层至少其中之一结晶(43)。
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