[发明专利]存储器及半导体装置有效
| 申请号： | 200810190316.6 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101458966A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 德永肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王小衡 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明“存储器及半导体装置”提供一种存储器，它包括具有第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的硅层的存储元件。所述存储元件可以处于“第一状态”、“第二状态”及“第三状态”。对处于所述第一状态的所述存储元件写入第一数据，结果使第一电极的电位比所述第二电极的电位高，从而有所述存储元件处于所述第二状态。对处于所述第一状态的所述存储元件写入第二数据，结果使第二电极的电位比所述第一电极的电位高，从而有所述存储元件处于所述第三状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种存储器，包括：具有第一电极、第二电极以及布置在第一电极和第二电极之间的硅层的存储元件，其中：所述存储元件可处于第一状态、第二状态和第三状态，对处于第一状态的所述存储元件写入第一数据，结果使第一电极的电位比第二电极的电位高，从而有所述存储元件处于所述第二状态，对处于第一状态的所述存储元件写入第二数据，结果使第二电极的电位比第一电极的电位高，从而有所述存储元件处于所述第三状态，当处于第一状态的所述存储元件的电阻值为R1、处于第二状态的所述存储元件的电阻值为R2、处于第三状态的所述存储元件的电阻值为R3时，满足R1>R2>R3。
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