[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明提供能够降低针对p型氮化物半导体层的欧姆电极的接触电阻，且能够长期稳定地进行工作的半导体装置的制造方法。在电极形成工序中，在p型GaN接触层(7)上依次形成作为第一p型欧姆电极(10)的Pd膜和作为第二p型欧姆电极(11)的Ta膜，在形成以包括Pd膜和Ta膜的金属膜构成的p型欧姆电极时，以在金属膜中含有氧原子的方式形成金属膜。这样，在金属膜中存在氧原子的状态下，在热处理工序中，在不含有包含氧原子的气体的气氛下对由金属膜构成的p型欧姆电极进行热处理。

主权项

1. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：电极形成工序，执行以下工序，使得在所述金属膜中含有氧原子，该工序为在由氮化物半导体构成的p型接触层上依次形成钯膜和钽膜，形成以包括所述钯膜和所述钽膜的金属膜构成的欧姆电极；以及热处理工序，在不含有包含氧原子的气体的气氛下对所述欧姆电极进行热处理。