[发明专利]减少集成电路角部剥落的结构有效
| 申请号： | 200810192904.3 | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101640190A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;刘豫文;蔡豪益 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种减少集成电路角部剥落和破裂的破裂防止结构。破裂防止结构包括：半导体衬底；布置在半导体衬底上的第一材料的第一多个电介质层；以不同于第一材料的第二材料，布置在第一多个电介质层上的第二多个电介质层，其中，第一多个电介质层和第二多个电介质层在界面处相遇；和通过第一多个电介质层和第二多个电介质层的界面形成的多个金属结构和多个通孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 集成电路 剥落 结构 | ||
【主权项】：
1.一种破裂防止结构，布置在划片槽之间的多个半导体管芯，其中，划片槽包括至少一个破裂防止结构，该破裂防止结构包括：半导体衬底；布置在半导体衬底上的第一材料的第一多个电介质层；以不同于第一材料的第二材料，布置在第一多个电介质层上的第二多个电介质层，其中，第一多个电介质层和第二多个电介质层在界面处相遇；和形成通过第一多个电介质层和第二多个电介质层的界面的多个金属结构和多个通孔结构。
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