[发明专利]有机氯硅烷生产中的废触体合成三氯氢硅的方法无效
| 申请号： | 200810195377.1 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101391775A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 余富民;朱德洪;阎世城;祝纪才;钱芬芬;朱恩俊 | 申请（专利权）人： | 江苏宏达新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 孙立冰 |
| 地址： | 21220*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机硅领域，具体涉及一种利用有机氯硅烷中产生的废触体制备三氯氢硅的方法。其特征是：以废触体为原料，与经过稀释气体稀释的干燥HCl进行气固相直接法合成制备三氯氢硅。所制备的三氯氢硅可用于合成单晶硅、多晶硅、高纯硅和特种有机硅烷等。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 硅烷 生产 中的 废触体 合成 三氯氢硅 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有机氯硅烷生产中的废触体制备三氯氢硅的方法，其特征是：将废触体与干燥的HCl及稀释气体在加热条件下反应即得。
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