[发明专利]铸锭边皮和头料的拉制提纯方法无效
| 申请号： | 200810195891.5 | 申请日： | 2008-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101362602A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 谭宝平 | 申请（专利权）人： | 扬州市科尔光电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 211424江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 铸锭边皮和头料的拉制提纯方法，涉及太阳能单晶硅的的生产技术领域。先将预处理好的材料，按电阻率进行配比；再装炉，抽空，加热融化；在1420℃～1460℃下保持高温蒸发2～3个小时；引晶拉制，拉制时先把漂浮在液面的杂质提出，再拉制出多晶硅棒。通过以上工艺后，再进行酸洗，才能去除铸锭中生产边皮和头料杂质，从而保障拉制的单晶硅的品质，保障其电阻大于0.5之上。 | ||
| 搜索关键词： | 铸锭 拉制 提纯 方法 | ||
【主权项】：
1、铸锭边皮和头料的拉制提纯方法，其特征在于包括以下步骤：1)将预处理好的材料，按电阻率进行配比；2)装炉，抽空，加热融化；3)保持1420℃～1460℃的高温蒸发2～3个小时；4)引晶拉制，拉制时先把漂浮在液面的杂质提出，再拉制出多晶硅棒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州市科尔光电子材料有限公司，未经扬州市科尔光电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810195891.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
