[发明专利]SOI/CMOS集成电路输出缓冲器的ESD保护结构无效
| 申请号： | 200810195909.1 | 申请日： | 2008-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101355357A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 薛忠杰;罗静 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214116江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SOI/CMOS集成电路输出缓冲器的ESD保护结构，特征是PMOS管源端通过半导体金属铝连接正电源VDD，NMOS管源端通过金属铝连接负电源GND；PMOS管漏端与NMOS管漏端通过金属铝连接形成输出连接端；正电源VDD通过金属铝连接P－型衬底栅控二极管的阴极，负电源GND通过金属铝连接N－型衬底栅控二极管的阳极；P－型衬底栅控二极管的阳极与N－型衬底栅控二极管的阴极通过金属铝连接形成另一输出连接端，连接端同时与输出缓冲器的输出压焊点通过金属铝连接。本发明结构简单，在SOI/CMOS集成电路中占用版图面积小，使用方便；使用后可以将SOI/CMOS集成电路输出引脚的ESD耐受水平提高至2000v(HBM模型)或以上水平。 | ||
| 搜索关键词： | soi cmos 集成电路 输出 缓冲器 esd 保护 结构 | ||
【主权项】：
1、一种SOI/CMOS集成电路输出缓冲器的ESD保护结构，其特征是：增强型P沟道MOS场效应PMOS管源端通过半导体金属铝连接正电源(VDD)，增强型N沟道MOS场效应NMOS管源端通过半导体金属铝连接负电源(GND)；增强型P沟道MOS场效应PMOS管漏端与增强型N沟道MOS场效应NMOS管漏端通过金属铝连接形成输出连接端(201)；正电源(VDD)通过金属铝连接P-型衬底栅控二极管(D1)的阴极，负电源(GND)通过金属铝连接N-型衬底栅控二极管(D2)的阳极；P-型衬底栅控二极管(D1)的阳极与N-型衬底栅控二极管(D2)的阴极通过金属铝连接形成另一输出连接端(202)，连接端(202)同时与输出缓冲器的输出压焊点通过金属铝连接；电阻(RESD)一端通过金属铝与连接端(201)连接，另一端通过金属铝与连接端(202)连接。
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