[发明专利]一种利用线性偏振光来检验半导体衬底晶体质量的方法无效

专利信息
申请号: 200810196208.X 申请日: 2008-08-28
公开(公告)号: CN101339142A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 陆海;苗操;张荣;郑有炓 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;G01N21/21
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 代理人: 汤志武;王鹏翔
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种利用线性偏振光来检验半导体衬底晶体质量的方法,将两线偏振片按偏振方向互相垂直方式放置,处于完全消光状态。两偏振片中间放置需要表征缺陷的表面平整的片状晶体材料,晶体材料平面与两偏振片平面平行;用一光源产生强度均匀的光,垂直照射在一线偏振片上,产生线偏振光,该线偏振光再照射到晶体材料上,其透射光经过第二片偏振片,最后被光学成像系统接收并显示,光学成像系统显示的图像中局部的具有亮度反差或条纹区域与晶体材料中的缺陷相对应。本方法较之传统缺陷表征方法能十分便捷地对整片晶体材料的缺陷分布情况给出直观表征,有利于加快研究速度和提高器件制备的成品率。
搜索关键词: 一种 利用 线性 偏振光 检验 半导体 衬底 晶体 质量 方法
【主权项】:
1.一种利用线性偏振光来检验半导体衬底晶体质量的方法,其特征在于,将两线偏振片按偏振方向互相垂直方式放置,处于完全消光状态。两偏振片中间放置需要表征缺陷的表面平整的片状晶体材料,晶体材料平面与两偏振片平面平行;用一光源产生强度均匀的光,垂直照射在一线偏振片上,产生线偏振光,该线偏振光再照射到晶体材料上,其透射光经过第二片偏振片,最后被光学成像系统接收并显示,光学成像系统显示的图像中局部的具有亮度反差或条纹区域与晶体材料中的缺陷相对应。
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