[发明专利]一种n－ZnO纳米线/p－NiO异质pn结二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种n－氧化锌纳米线/p－氧化镍异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结由n型ZnO薄膜种子层或者掺杂ZnO薄膜种子层上生长出的n型ZnO纳米线；在ZnO纳米线上镀NiO材料而得到的异质pn结。本发明首先用磁控溅射工艺在玻璃基片或在n型硅片上制备ZnO或AZO种子层；然后采用水热反应法生长出n型ZnO纳米线；然后在ZnO纳米线上镀NiO层形成异质pn结；最后采用溅射法或热蒸发法在pn结制作电极；电极通过后退火合金化形成欧姆接触。本发明异质pn结二极管具有较低的正向开启电压和较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，具有较好的紫外光敏特性而且其制备方法工艺简单、成本低廉。

主权项

1、一种n-氧化锌纳米线/p-氧化镍异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，其特征在于：所述pn结是由n型ZnO薄膜种子层或者掺杂ZnO薄膜种子层上生长出的n型ZnO纳米线；纳米线间的缝隙中先填充入绝缘材料再在ZnO纳米线上镀NiO材料，或直接在ZnO纳米线上镀NiO材料而得到的异质pn结。