[发明专利]一种采用单滑块双读写微磁头的自伺服刻写方法无效
申请号: | 200810197557.3 | 申请日: | 2008-11-07 |
公开(公告)号: | CN101477803A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 周功业;陈进才;徐庶;宁德刚;谢凯;张立邦;孙巍 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G11B5/596 | 分类号: | G11B5/596 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 | 代理人: | 曹葆青 |
地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于计算机存储设备技术领域,为一种采用单滑块双读写微磁头的自伺服刻写方法。该方法包括①在磁盘外径设定时钟参考信号;②根据位于外径上的读磁针读出的时钟参考信号,使内径方向上的写磁针定位在0道并由其刻写0道伺服信息;③前一道伺服信息写完后,磁头臂开始向内侧移动;④当位于外径方向的读磁针读出位于内径方向的写磁针写在上一道上的伺服信息时,磁头臂停止移动,并由位于内径方向的写磁针刻写下一道伺服信息;⑤重复第③步和第④步,直至所有磁道伺服信息刻写完成。本发明方法可提高硬盘生产效率,降低生产成本。本发明方法的数据正常读写操作时间明显减少,双微磁头并行读写还会使寻道次数随之减少,总寻道时间和盘片旋转等待时间减少,故硬盘读写速度随之提高。 | ||
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【主权项】:
1、一种采用单滑块双读写微磁头的自伺服刻写方法,其步骤包括:第1步 在磁盘外径设定时钟参考信号;第2步 根据位于外径上的读写微磁头的读磁针读出的时钟参考信号,使内径方向上的读写微磁头的写磁针定位在0道并由其刻写0道伺服信息;第3步 前一道伺服信息写完后,磁头臂开始向内侧移动;第4步 当位于外径方向的读写微磁头的读磁针读出位于内径方向的读写微磁头的写磁针写在上一道上的伺服信息时,磁头臂停止移动,并由位于内径方向的读写微磁头的写磁针刻写下一道伺服信息;第5步 重复第3步和第4步,直至所有磁道伺服信息刻写完成。
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