[发明专利]一种低毒性荧光碳点的制备方法无效
申请号: | 200810197695.1 | 申请日: | 2008-11-19 |
公开(公告)号: | CN101402858A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 庞代文;赵巧玲;张志凌 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | C09K11/65 | 分类号: | C09K11/65;C25B1/00 |
代理公司: | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人: | 刘 荣 |
地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种低毒性荧光碳点的制备方法,该方法将清洗好的碳电极置于电解质溶液中于较正电位处用恒电位电解氧化法对进行碳电极进行氧化,然后将氧化后的碳电极用超纯水淋洗,收集淋洗后的水溶液,合并电解质溶液和淋洗后的水溶液,离心,收集上清,去掉沉淀,最后将收集的上清用截留分子量分别为30,10,5kDa的超滤管依次超滤,收集截留分子量为5-10kDa和<5kDa的组分,其中,截留分子量为5-10kDa的组分为发黄色荧光的碳点,<5kDa的组分为发蓝色荧光的碳点。这种方法简单易行,材料来源广泛廉价,所得的碳点无细胞毒性,耐光漂。 | ||
搜索关键词: | 一种 毒性 荧光 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种低毒性荧光碳点的制备方法,其特征在于采用如下步骤对碳电极进行电化氧化处理,得到低毒性的荧光碳点:(1)将碳电极进行清洗;(2)将清洗好的碳电极置于电解质溶液中,以铂电极为辅助电极,以饱和甘汞电极为参比电极,于较正电位处用恒电位电解氧化法对碳电极进行氧化,所用恒电位相对于饱和甘汞电极在1.5-10V之间;(3)将氧化后的碳电极用超纯水淋洗干净,收集淋洗后的水溶液;(4)合并(2)中的电解质溶液和(3)中水溶液,离心,收集上清,去掉沉淀;(5)将收集的上清用截留分子量分别为30,10,5kDa的超滤管依次超滤,收集截留分子量为5-10kDa和<5kDa的组分,其中,截留分子量为5-10kDa的组分为发黄色荧光的碳点,<5kDa的组分为发蓝色荧光的碳点。
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