[发明专利]一种快速响应的场发射冷阴极电子源结构无效
| 申请号： | 200810198414.4 | 申请日： | 2008-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101419887A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 邓少芝;赖新宇;许宁生;陈军;佘峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J29/04;H01J35/06 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 华 辉;曹爱红 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种快速响应的场发射冷阴极电子源结构，其内容及特征是：将呈容性阻抗特性的器件或电路与场致电子发射结构以串联形式连接，或者将呈感性阻抗特性的器件或电路与场致电子发射结构以并联形式连接，组成冷阴极电子源结构；通过引入补偿阻抗，减少场致电子发射结构的极间电容影响，实现冷阴极电子源快速响应的交流发射性能。本发明提出快速响应的场发射冷阴极电子源结构，在微波器件、场发射平板显示器等真空微纳电子器件中有重要应用。本发明提出的引入容性阻抗或感性阻抗来减少场致电子发射结构的极间电容影响的方法，可以应用于高速交变电场驱动下的场发射冷阴极发射电流监测和取样中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 响应 发射 阴极 电子 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种快速响应的场发射冷阴极电子源结构，其特征在于：将呈容性阻抗特性的器件或电路与场致电子发射结构以串联形式连接，或者将呈感性阻抗特性的器件或电路与场致电子发射结构以并联形式连接，组成冷阴极电子源结构；通过引入容性阻抗或感性阻抗，减少场致电子发射结构的极间电容影响，实现冷阴极电子源快速响应的交流发射性能。
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