[发明专利]具有高偏振转换特性的半导体激光器件无效
| 申请号： | 200810198911.4 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101369712A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王钢;招瑜 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/10;H01S5/323 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光器件领域，公开了一种具有高偏振转换特性的半导体激光器件，包括衬底(1)、沉积于衬底(1)上的半导体外延叠层及设于半导体外延叠层表面的出射端面(8)，该半导体外延叠层自下而上包括第一导电包覆层(2)、发光层(3)及第二导电包覆层(4)，第二导电包覆层(4)上端设置有上电极(6)，衬底(1)底部设置有下电极(7)，出射端面(8)上设置有光子晶体层(9)，该光子晶体层(9)与出射端面(8)具有倾斜角度。本发明具有高效偏振转换特性，透光率高及结构简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏振 转换 特性 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种具有高偏振转换特性的半导体激光器件，包括衬底(1)、沉积于衬底(1)上的半导体外延叠层及设于半导体外延叠层表面的出射端面(8)，该半导体外延叠层自下而上包括第一导电包覆层(2)、发光层(3)及第二导电包覆层(4)，第二导电包覆层(4)上端设置有上电极(6)，衬底(1)底部设置有下电极(7)，其特征在于：出射端面(8)上设置有光子晶体层(9)，该光子晶体层(9)与出射端面(8)具有倾斜角度。
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