[发明专利]用于SRAM接口转SDRAM接口的电路及转换方法有效

专利信息
申请号: 200810200129.1 申请日: 2008-09-19
公开(公告)号: CN101364428A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 石武 申请(专利权)人: 嘉兴闻泰通讯科技有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C11/34;G06F13/00
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 王敏杰
地址: 314006浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种用于SRAM接口转SDRAM接口的电路和转换方法,该转换电路包括CPU、CPLD和SDRAM芯片,CPU包括一个SRAM接口,该SRAM接口的WE、RE、CS、ADDR端分别与CPLD的相应信号端相连,CPU的数据信号端DATA与SDRAM芯片的数据信号端DATA相连。CPLD的列地址锁存信号RAS、行地址锁存信号CAS、第二写控制端WE2、块地址信号端BANK、第二地址信号端ADDR2、时钟使能信号CKE分别与所述SDRAM芯片的相应信号端相连。本发明应用在手持终端当中,SRAM接口转成SDRAM接口,CPU可以通过SRAM总线接口对SDRAM进行读、写等操作。
搜索关键词: 用于 sram 接口 sdram 电路 转换 方法
【主权项】:
1、一种用于SRAM接口转SDRAM接口的电路,其特征在于包括CPU、复杂可编程逻辑器件和SDRAM芯片,所述的CPU包括一个SRAM接口,该SRAM接口的写控制端WE、读控制端RE、片选信号端CS、地址信号端ADDR分别与所述复杂可编程逻辑器件的第一写控制端WE1、读控制端RE、片选信号端CS、第一地址信号端ADDR1相连,所述的CPU的数据信号端DATA与所述SDRAM芯片的数据信号端DATA相连,所述复杂可编程逻辑器件的列地址锁存信号RAS、行地址锁存信号CAS、第二写控制端WE2、块地址信号端BANK、第二地址信号端ADDR2、时钟使能信号CKE分别与所述SDRAM芯片的列地址锁存信号RAS、行地址锁存信号CAS、写控制端WE、块地址信号端BANK、地址信号端ADDR、时钟使能信号CKE相连。
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