[发明专利]一种硅基图形衬底上生长外延层的方法有效
| 申请号： | 200810200193.X | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101378017A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 朱建军;徐科;王建峰 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215125江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种硅基图形衬底上生长外延层的方法，包括如下步骤：提供硅衬底；在硅衬底表面生长第一外延层；在第一外延层远离硅衬底的表面生长第一介质层；将第一介质层的一部分腐蚀除去；刻蚀第一外延层，至露出硅衬底后停止；在硅衬底上形成凹陷结构；在硅衬底的凹陷结构的底部和侧面制备第二介质层；腐蚀第一介质层；采用外延方法生长连续的第二外延层。本发明的优点在于：可以解决硅衬底上生长外延层容易龟裂的问题；可以降低外延生长中的位错密度和缺陷密度，提高晶体质量；可以解决硅容易向外扩散的问题；工艺可重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 衬底 生长 外延 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基图形衬底上生长外延层的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供硅衬底；在硅衬底表面生长第一外延层；在第一外延层远离硅衬底的表面生长第一介质层；将第一介质层的一部分腐蚀除去，至露出第一外延层后停止；以保留的第一介质层为掩模，采用选择性腐蚀的方法刻蚀第一外延层，至露出硅衬底后停止；腐蚀露出的硅衬底，在硅衬底上形成凹陷结构；在硅衬底的凹陷结构的底部和侧面制备第二介质层；腐蚀第一介质层，至露出第一外延层；以露出的图形化的第一外延层为籽晶，采用外延方法生长连续的第二外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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