[发明专利]一种纳米晶增强图形化发光复合膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810200673.6 | 申请日： | 2008-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101373222A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 林健;魏恒勇 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;G03G5/153;G03G5/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子信息技术领域，具体涉及一种纳米晶表面增强图形化发光复合玻璃膜的制备技术，通过在玻璃、单晶或聚合物光学基片表面依次制备含发光物质玻璃薄膜和含银、金或铜金属物质图形膜层，利用直流电场诱导热转印技术使图形膜层中金属离子定向扩散进入含发光物质玻璃薄膜并形成图形化分布的银、金或铜金属纳米晶体，利用金属纳米晶体的表面等离子荧光增强效应提高发光物质的荧光效率，进而实现玻璃薄膜的图形化发光。采用该技术制备的纳米晶增强图形化发光膜可应用于光信息记录、显示及处理等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 增强 图形 发光 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米晶增强图形化发光复合膜制备方法，其步骤包括：(a)在光学基片上制备含稀土或半导体或金属发光物质玻璃薄膜；(b)在(a)步骤获得的含发光物质玻璃薄膜上制备含银、金或铜金属物质图形膜层；(c)采用直流电场诱导热转印技术引导含金属物质图形膜层中金属离子定向扩散进入玻璃薄膜，并通过后续热处理在含发光物质玻璃薄膜中形成图形化分布的银、金或铜金属纳米晶体。
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