[发明专利]相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法

摘要

本发明涉及一种相变存储器存储单元底电极结构的改进以及制作实施方法，所述的相变存储器存储单元包括顶电极1、顶电极的过渡层2，以及与顶电极的过渡层2和底电极6接触的相变材料层，其特征在于底电极上端呈探针式电极结构，探针式电极的针尖7深入相变材料层的内部。探针式电极的针尖呈等腰三角形。其制作实施方法为采用标准CMOS工艺制备绝缘介质中的钨底电极，然后采用湿法腐蚀绝缘介质层使钨底电极暴露，再用电化学腐蚀钨底电极使其形貌为探针状，得到探针式电极和等腰三角形针尖，使W电极的热量损失降低至19％。

主权项

1、一种相变存储器存储单元的底电极结构的改进，所述的相变存储器存储单元包括顶电极(1)、顶电极的过渡层(2)，以及与顶电极的过渡层(2)和底电极(4)接触的相变材料层，其特征在于底电极的上端呈探针式电极结构，探针式电极的针尖(7)深入相变材料层的内部。