[发明专利]低折射率纳米材料减反射膜无效
| 申请号： | 200810200774.3 | 申请日： | 2008-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN101431110A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘永生;杨文华 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/052 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200090上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低折射率纳米材料减反射膜，将低折射率纳米材料引入减反射膜系设计中，达到了良好效果；低折射率纳米材料减反射膜的设计结果具有工艺方便、实现应用前景广泛等优点，为空间硅太阳电池减反射膜的制备提供了制备参数，可望应用于太阳能产业领域和通信、建筑环保节能、IT产业、汽车工业、军事、航空航天技术等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 折射率 纳米 材料 减反射膜 | ||
【主权项】：
1、一种低折射率纳米材料减反射膜，包括减反射膜，其特征在于，所述减反射膜中至少有一层采用折射率在1.1～1.4之间，加权平均反射率在1.17％～5％之间的纳米材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
