[发明专利]多域垂直配向型像素结构无效
申请号: | 200810201094.3 | 申请日: | 2008-10-13 |
公开(公告)号: | CN101726937A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 张月泙;戴孟杰;柳智忠;王明宗 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/139 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 215217 江苏省吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种多域垂直配向型像素结构包括一基板、多条扫描配线、多条数据配线与多个像素单元。其中,扫描配线与数据配线配置于基板上。每一像素单元包括一第一像素电极、一第二像素电极与一双漏极主动组件。此外,双漏极主动组件配置于第一像素电极与第二像素电极之间。双漏极主动组件包括一栅极、一图案化源极、一第一漏极与一第二漏极。其中,栅极电性连接至扫描配线,图案化源极电性连接至数据配线。上述的第一漏极电性连接至第一像素电极。另外,上述的第二漏极延伸至基板与第二像素电极之间。 | ||
搜索关键词: | 垂直 像素 结构 | ||
【主权项】:
一种多域垂直配向型像素结构,其特征在于,包括:一基板;多条扫描配线;多条数据配线,与该些扫描配线交叉配置于该基板上;多个像素单元,配置于该基板上,每一像素单元包括:一第一像素电极;一第二像素电极;以及一双漏极主动组件,配置于该第一像素电极与该第二像素电极之间,该双漏极主动组件包括一栅极、一图案化源极、一第一漏极与一第二漏极,其中该栅极电性连接至所对应的该些扫描配线其中之一,该图案化源极电性连接至所对应的该些数据配线其中之一,而该栅极、该图案化源极、该第一漏极构成一第一主动组件,且该第一主动组件的第一漏极电性连接至该第一像素电极,而该栅极、该图案化源极与该第二漏极构成一第二主动组件,该第二主动组件的第二漏极延伸至该基板与该第二像素电极之间。
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