[发明专利]铝酸锂晶体的退火方法无效
| 申请号： | 200810201208.4 | 申请日： | 2008-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101413142A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 周圣明;林辉;王军;腾浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/22 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种铝酸锂晶体的退火方法，其特点是：将需要退火的γ-LiAlO2晶体埋入氧化铝坩埚内的富锂的铝酸锂粉体中，在氧化铝坩埚上盖好氧化铝盖，然后在马弗炉中缓慢升温到1000～1500℃之间的某一温度下保温5～72小时，之后缓慢降温到室温，取出所述的γ-LiAlO2晶体。实验表明，本发明可以有效释放铝酸锂晶体中的残余应力，同时可以避免铝酸锂晶体的组分在高温退火时的非化学计量比挥发，显著提高了铝酸锂晶体的质量，并使铝酸锂晶体易于切割加工成较薄的晶片，显著提高了铝酸锂晶片的产率，具有成本低廉，易于操作等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 铝酸锂 晶体 退火 方法 | ||
【主权项】：
1、一种铝酸锂晶体的退火方法，其特征在于：将需要退火的γ-LiAlO2晶体埋入氧化铝坩埚内的富锂的铝酸锂粉体中，在氧化铝坩埚上盖好氧化铝盖，然后在马弗炉中缓慢升温到1000～1500℃之间的温度下保温5～72小时，之后缓慢降温到室温，取出所述的γ-LiAlO2晶体。
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