[发明专利]一种红外探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810201309.1 | 申请日： | 2008-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101386402A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;姜利军 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;G01J5/10;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外探测器及其制造方法，涉及红外探测器的制造工艺技术领域。本发明提供的一种红外探测器结构包括硅衬底、依次层叠在硅衬底上的探测器牺牲层、释放保护和支撑层、金属电极和探测器敏感材料层，其中，探测器敏感材料层形成于金属电极表面和未被金属电极覆盖的释放保护和支撑层表面，或者覆盖于释放保护和支撑层表面并填充在相邻金属电极之间。与现有技术相比，本发明提供的红外探测器及其制造方法，在制作完金属电极之后再沉积探测器敏感材料层，减少了后续工艺对探测器敏感材料层的损伤，并能避免金属电极间的短路，相应地可提高该红外探测器的性能、成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种红外探测器，包括硅衬底及依次形成于硅衬底上的探测器牺牲层、释放保护和支撑层，其特征在于，所述红外探测器还包括依次形成于释放保护和支撑层上的金属电极和探测器敏感材料层。
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