[发明专利]一种在金属铜表面的光刻方法无效
申请号: | 200810201445.0 | 申请日: | 2008-10-21 |
公开(公告)号: | CN101726996A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 李德君 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/004;C01G3/02 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种在铜金属表面的光刻方法,属于半导体制造工艺技术领域。在金属铜表面的光刻过程中,通过在金属铜表面氧化生成铜金属氧化物层,其氧化层由于不像金属铜一样具有高光泽,因此在光刻过程中可是实现减少用于光刻的入射光的反射,实现光刻图案的图形准确性。本发明提供的在金属铜表面的光刻方法,具有方法简单、光刻图形精确性高的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 表面 光刻 方法 | ||
【主权项】:
一种在金属铜表面的光刻方法,其特征在于包括步骤:(1)在金属铜表面氧化生成铜金属氧化物层;(2)涂覆光刻胶层与所述铜金属氧化物层之上;(3)对光刻胶进行曝光;(4)进行显影、定影、坚膜。
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