[发明专利]红外焦平面探测器互连铟柱感应回熔技术有效
申请号: | 200810201532.6 | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101373802A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 张海燕;胡晓宁;李言谨;何力;龚海梅;张勤耀 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外焦平面探测器互连铟柱感应回熔技术,该技术采用金属的在交变电磁场中的感应电流实现铟柱的熔融,在熔融铟柱的同时不加热碲镉汞材料,这既提高了互连强度又避免了碲镉汞芯片因高温而性能退化,很好的解决了焦平面工艺中的铟柱回熔问题。 | ||
搜索关键词: | 红外 平面 探测器 互连 感应 技术 | ||
【主权项】:
1.一种红外焦平面探测器互连铟柱感应回熔技术,其特征在于:它包括以下工艺步骤:A.碲镉汞焦平面芯片与硅电路以冷压焊技术形成焦平面组件;B.把冷压焊后的焦平面组件置于高频炉的感应线圈所产生的电磁场中,进行感应加热,互连铟柱感应受热回熔;C.把加热后的焦平面组件移出,继续后续的封装工作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的