[发明专利]用于多晶硅生产的三氯氢硅汽化装置的挥发器及控制系统无效
申请号: | 200810201533.0 | 申请日: | 2008-10-22 |
公开(公告)号: | CN101723372A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 吕国华;袁克文;钱承荣 | 申请(专利权)人: | 上海棱光实业股份有限公司 |
主分类号: | C01B33/03 | 分类号: | C01B33/03 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 徐伟奇 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及多晶硅生产制造领域,是一种用于多晶硅生产过程中控制三氯氢硅与氢气比率的装置。本发明装置也可以应用于合成光学石英玻璃生产制造领域,在合成光学石英玻璃生产过程中控制四氯化硅与载料气体的比率。所述汽化装置的挥发器由挥发槽、喷雾管、加热管,支承件和支承座组成。本发明有利于提高还原炉的生产能力和降低还原生产损耗。也有利于多晶硅生产企业实现自动化和集群化生产控制。 | ||
搜索关键词: | 用于 多晶 生产 三氯氢硅 汽化 装置 挥发 控制系统 | ||
【主权项】:
一种用于多晶硅生产的三氯氢硅汽化装置的挥发器,其特征在于,所述的挥发器由挥发槽(10)、喷雾管(11)、加热管(12),支承件(14)和支承座(17)组成;所述挥发槽包括挥发腔(101),该挥发腔两端面密封;左封头端面设有与加热管(12)连通定位安装孔(102);该挥发腔中部外层设有加热夹套(103),该夹套的上部和下部各设有进水口(1031)和出水口(1033);在该挥发腔(101)的下部左右二端设有排污口(104)和三氯氢硅进料口(105);在该挥发腔(101)的上部设有三氯氢硅和氢气的出料口(106);该挥发腔(101)设有外接液位传感器的联接口(1071);该挥发腔(101)右封头端面上设有窥视窗(108)、喷雾管法兰联接器(109)、联接目视液位计的孔(10101);所述喷雾管(11)由圆管(111)和法兰(112)组成,圆管(111)一端封闭,另一端设有管接螺纹,法兰位于管接螺纹端,圆管(111)壁上设有若干小穿孔;在挥发槽(10)外,喷雾管(11)法兰端与挥发槽(10)的法兰联接器(109)相连;在挥发槽(10)内,另一端固定在支承件(14)上,支承件(14)二端通过焊接固定在挥发腔(101)腔壁上。所述加热管(12)由U型盘向加热管组成,所述加热管固定在支承件(15)、(16)上,加热管的进出口管穿过挥发腔(101)定位安装孔(102),并进行密封焊接,支承件(15)和(16)二端通过焊接固定在挥发腔(101)腔壁上。
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