[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法无效
| 申请号： | 200810201777.9 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101728308A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王津洲;高大为 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层；刻蚀腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽；对浅沟槽内半导体衬底进行激光热处理并通入氧气，形成衬氧化层；在浅沟槽内填充满绝缘氧化层；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底，形成浅沟槽隔离结构。本发明提高了后续衬氧化层的质量，减少了漏电流，提高了半导体器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层；刻蚀腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽；对浅沟槽内半导体衬底进行激光热处理并通入氧气，形成衬氧化层；在浅沟槽内填充满绝缘氧化层；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底，形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
