[发明专利]控制源/漏结电容的方法和PMOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 200810201781.5 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101728264A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 施雪捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴靖靓;李丽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种控制源/漏结电容的方法和PMOS晶体管的形成方法，所述控制源/漏结电容的方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括待形成的晶体管的沟道区；在所述沟道区内进行阈值电压注入调整阈值电压，通过调节所述阈值电压注入的离子、能量和剂量控制所述晶体管的源/漏结电容。所述方法可以优化晶体管的源/漏结电容，以将结电容控制在预定要求的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 电容 方法 pmos 晶体管 形成 | ||
【主权项】：
一种控制源/漏结电容的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括待形成的晶体管的沟道区；在所述沟道区内进行阈值电压注入调整阈值电压，其特征在于，通过调节所述阈值电压注入的离子、能量和剂量控制所述晶体管的源/漏结电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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