[发明专利]相变半导体器件的制造方法及相变半导体器件有效
| 申请号： | 200810201787.2 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101728481A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦;邵颖 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C16/02;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及相变半导体器件的制造方法及相变半导体器件。其中，相变半导体器件的制造方法，包括步骤：提供基底，所述基底上开有沟槽，所述沟槽底部设有第一电极层；在沟槽内形成导电的且与第一电极层导通的第一粘合层；在沟槽内填充固态相变材料；在基底上形成具有通孔的电介质层，所述通孔暴露所述沟槽内填充的固态相变材料；在所述电介质层的通孔内填充所述固态相变材料。与现有技术相比，本发明在相变半导体器件的第一电极层和固态相变材料之间设置可导电的第一粘合层，用该第一粘合层来连接第一电极和固态相变材料，既可以让固态相变材料与第一电极层紧密粘合，不发生固态相变材料脱落的情况，又可以使该相变半导体器件保持较低的工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供基底，所述基底上开有沟槽，所述沟槽底部设有第一电极层；在沟槽内形成导电的且与第一电极层导通的第一粘合层；在沟槽内填充固态相变材料；在基底上形成具有通孔的电介质层，所述通孔暴露所述沟槽内填充的固态相变材料；在所述电介质层的通孔内填充所述固态相变材料。
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