[发明专利]一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置

摘要

本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度在10^-1～10^-3Pa范围内，同时吸入作为碳源的无水乙醇，其流量控制在0.5～5ml/min范围内；将石英安瓿在真空中加热到热分解镀膜温度，该温度为950～1100℃，并在该温度下维持加热10～60分钟，使碳充分沉积，待冷却至室温后，即得镀碳膜的石英安瓿。本发明方法可以制得具有高结合力和致度的碳膜的石英安瓿，碳膜不易脱落，有利于CdZnTe晶体的合成生长。

主权项

1、一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法，其特征在于具有以下的工艺过程和步骤：a. 将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉内的石英炉管中；然后将所述炉管接入真空抽气系统，并保持其真空度达到10-1～10-3Pa范围内；b. 在真空负压下，将作为碳源的无水乙醇吸入所述石英炉管内的石英安瓿中；c. 将所述加热炉加热升温至950～1100℃，在维持该炉温和真空度下，让石英安瓿在该条件下烘烤10～60分钟；所述的作为碳源的无水乙醇送入石英安瓿中的流量控制在0.5～5ml/min；待无水乙醇全部进入系统后，再待2～10分钟，随后开始降温，直至到达室温，打开石英炉管取出石英安瓿，此即为内壁镀覆有碳膜的石英安瓿。