[发明专利]POSS杂化空穴传输材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810202163.2 | 申请日： | 2008-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101397308A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 徐洪耀;张超;光善仪 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21;H01L51/00;H01L51/54;H01L51/46;C08G77/38 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一类POSS杂化空穴传输材料及其制备方法，该材料是由至少一种含活性基团的低聚倍半硅氧烷POSS单体与至少一种具有空穴传输功能的有机单体通过化学反应制得，其中，含活性基团的低聚倍半硅氧烷单体与具有空穴传输功能的有机单体组分的质量之比为0.1～80∶99.9～20。可广泛用于电致发光元件、发光器件、二极管、光电池、光敏元件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | poss 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一类POSS杂化空穴传输材料，其特征在于：该材料是由至少一种含活性基团的低聚倍半硅氧烷POSS单体与至少一种具有空穴传输功能的有机单体通过化学反应或聚合合成方法制得，其中，含活性基团的低聚倍半硅氧烷单体与具有空穴传输功能的有机单体组分的质量之比为0.1～80∶99.9～20。
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