[发明专利]含POSS杂化电子传输材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810202171.7 | 申请日： | 2008-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101397309A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 徐洪耀;张超;光善仪 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21;H01B1/12;H01L51/00;H01L51/54;H01L51/46;H01L51/30;C08G77/38 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一类含POSS杂化电子传输材料及其制备方法，该材料是由至少一种含活性基团的低聚倍半硅氧烷POSS单体与至少一种具有电子传输功能的有机单体通过发生化学反应制得，其中，含活性基团的低聚倍半硅氧烷单体与具有电子传输功能的有机单体的质量比为0.1～80∶99.9～20，制备包括至少一种含活性基团的低聚倍半硅氧烷POSS单体与至少一种具有电子传输功能的有机单体，在20℃～90℃，溶液体系中，通过加成、取代化学反应或聚合合成0.5～24h后，得POSS杂化电子传输材料，可广泛用于电致发光元件、发光器件、二极管、光电池、光敏元件、各种电极/聚合物/电极元件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | poss 电子 传输 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一类POSS杂化电子传输材料，其特征在于：该材料是由至少一种含活性基团的低聚倍半硅氧烷POSS单体与至少一种具有电子传输功能的有机单体通过发生加成或聚合反应制得，其中，含活性基团的低聚倍半硅氧烷单体与具有电子传输功能的有机单体的质量比为0.1～80∶99.9～20。
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