[发明专利]二氧化硅纳米粉体表面大气压常温等离子体改性处理方法无效
| 申请号： | 200810202249.5 | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101417807A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 张迎晨;谢建飞;吴红艳;邱夷平 | 申请（专利权）人： | 东华大学;中原工学院 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及二氧化硅纳米粉体表面大气压常温等离子体改性处理方法，包括：将二氧化硅纳米粉体置于等离子体处理设备的专用传输装置上，在大气压，开放环境下，直接将等离子体喷射到二氧化硅纳米粉体表面，使二氧化硅纳米粉体在等离子体氛围中运动，处理二氧化硅纳米粉体的功率为10W-5000W，时间为0.01s-6000s，产生二氧化硅纳米粉体表面改性。本发明方法在大气压和常温下可一步直接改善二氧化硅纳米粉体的表面性质、结构和形态，工艺可控性强，改换工艺简单、干法加工工艺对环境的污染小；发明所得二氧化硅纳米颗粒表面产生同性相斥的效果，达到减少纳米颗粒团聚的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 纳米 体表 大气压 常温 等离子体 改性 处理 方法 | ||
【主权项】：
1. 二氧化硅纳米粉体表面大气压常温等离子体改性处理方法，包括：将二氧化硅纳米粉体置于等离子体处理设备的专用传输装置上，在大气压，开放环境下，直接将等离子体喷射到二氧化硅纳米粉体表面，使二氧化硅纳米粉体在等离子体氛围中运动，处理二氧化硅纳米粉体的功率为10W-5000W，时间为0.01s-6000s，产生二氧化硅纳米粉体表面改性。
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