[发明专利]金属半导体场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及金属半导体场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底设有埋入电介质层和所述埋入电介质层上的半导体材料层；对所述的半导体材料层进行轻掺杂；刻蚀所述半导体材料层和埋入电介质层，形成半导体材料柱和电介质支撑柱；去除所述电介质支撑柱的中段，使得电介质支撑柱的中段形成镂空；在所述衬底上沉积金属层至至少掩埋所述半导体材料柱，并填充所述电介质支撑柱的镂空处；刻蚀所述金属层，形成金属栅极；对所述半导体材料柱两端的暴露部分进行重掺杂，形成源区和漏区。与现有技术相比，根据本发明所制造的金属半导体场效应晶体管，在金属半导体场效应晶体管中形成一个全包围沟道区的金属栅极，可以全面防止漏电流的产生。

主权项

一种金属半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底设有埋入电介质层和所述埋入电介质层上的半导体材料层；对所述的半导体材料层进行轻掺杂；刻蚀所述半导体材料层和埋入电介质层，形成半导体材料柱和电介质支撑柱，所述半导体材料柱由所述电介质支撑柱所支撑；去除所述电介质支撑柱的中段，使得电介质支撑柱的中段形成镂空；在所述衬底上沉积金属层至至少掩埋所述半导体材料柱，并填充所述电介质支撑柱的镂空处；刻蚀所述金属层，形成金属栅极，所述金属栅极的长度小于等于所述电介质支撑柱被去除的长度，所述金属栅极在所述电介质支撑柱的镂空处形成对所述半导体材料柱的包裹，且金属栅极与半导体材料柱的接触为肖特基接触，所述半导体材料柱被所述金属栅极包裹的一段形成沟道区；对所述半导体材料柱两端的暴露部分进行重掺杂，形成源区和漏区。