[发明专利]一种制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法

摘要

本发明揭示了一种制造高绝缘性SiO₂薄膜的工艺方法，包括如下步骤：步骤1、通入SiH₄/Ar和N₂O，利用PECVD方法，在待淀积一所需厚度SiO₂层的材料表面淀积一SiO₂薄膜，且所述SiO₂薄膜的厚度小于所需厚度；步骤2、单独通入N₂O，利用N₂O在高频电场下产生的高能粒子对已淀积好的SiO₂薄膜进行轰击；步骤3、通入SiH₄/Ar和N₂O，利用PECVD方法，在所述SiO₂薄膜上继续淀积SiO₂薄膜以使所淀积的SiO₂薄膜总的厚度达到所需厚度。本发明的要点是：在采用PECVD系统淀积SiO₂薄膜时，利用N₂O产生的高能粒子打断SiO₂薄膜中残留的Si-H键和N-H键，使H原子与O原子相结合并挥发出去，从而去除了导电的离子键，大大提高了SiO₂薄膜的绝缘性。

主权项

1、一种制造高绝缘性SiO2薄膜的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、通入工艺气体，该气体包括SiH4/Ar和N2O，在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃的条件下，利用PECVD方法，在待淀积一所需厚度SiO2层的材料表面，淀积一SiO2薄膜，且所述SiO2薄膜的厚度小于所需厚度；步骤2、单独通入工艺气体N2O，并在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃条件下使所产生的N2O高能粒子对已淀积好的所述SiO2薄膜进行轰击；步骤3、通入工艺气体SiH4/Ar和N2O，在RF功率为90-150W、压力为70-90Pa、温度为150℃-280℃的条件下，利用PECVD方法，在所述SiO2薄膜上继续淀积SiO2薄膜以使所淀积的SiO2薄膜总的厚度达到所需厚度。