[发明专利]一种分子印迹聚合物/碳纳米管/基底电极修饰电极及其应用无效
申请号: | 200810202655.1 | 申请日: | 2008-11-13 |
公开(公告)号: | CN101738423A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 施国跃;刘烨;曲云鹤;周天舒;孙倩;杨勤燕;梁莹;金利通 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/36;G01N27/333 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 白益华 |
地址: | 200062*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种修饰电极,其用于检测硝基苯类化合物,所述电极包括:基底电极;涂覆于所述基底电极表面的碳纳米管(CNTs)膜;所述电极还包括:涂覆于所述碳纳米管膜表面的分子印迹聚合物(MIP)膜。本发明还公开了所述电极的制备方法、以及以所述电极作为工作电极的电化学系统以及用该电化学系统检测样品中硝基化合物的方法。本发明的电极响应速度快、稳定性好、灵敏度高,可选择性的检测硝基化合物,并且,本发明的电极采用环保的材料,不会造成污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 分子 印迹 聚合物 纳米 基底 电极 修饰 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种修饰电极,其用于选择性检测硝基苯类化合物,所述电极包括:一基底电极;一涂覆于所述基底电极表面的碳纳米管(CNTs)膜;其特征在于,所述电极还包括:一涂覆于所述碳纳米管膜表面的分子印迹聚合物(MIP)膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学,未经华东师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810202655.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于精密量测的多CCD量测设备
- 下一篇:便于旋转的测绘仪三脚架