[发明专利]浅沟槽结构制造方法及快闪存储器有效
| 申请号： | 200810202830.7 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740456A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡建祥;陈清 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及浅沟槽结构制造方法及快闪存储器，其中，浅沟槽结构制造方法包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浅沟槽，所述浅沟槽内依照原位蒸汽生成方法形成有第一氧化物层；在第一氧化物层之上形成第二氧化物层；用高浓度等离子体-化学气相沉积工艺在沟槽内填充氧化物至封闭所述浅沟槽。与现有技术相比，本发明在快闪存储器浅沟槽内的ISSG氧化物层之上额外沉积有一层高温氧化物层，可以在填充沟槽时保护ISSG氧化物层不被破坏，并可以改善浅沟槽内的应力环境，修复浅沟槽内的缺陷，进而提高闪存的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 结构 制造 方法 闪存 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽结构制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浅沟槽，所述浅沟槽内依照原位蒸汽生成方法形成有第一氧化物层；在第一氧化物层之上形成第二氧化物层；用高浓度等离子体-化学气相沉积工艺在沟槽内填充氧化物至封闭所述浅沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
