[发明专利]填充空隙沟槽和形成半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810202833.0 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740471A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 郭佳衢 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种填充空隙沟槽的方法与一种形成半导体器件的方法，其中，填充空隙沟槽的方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一材料层，所述第一材料层表面包括非空隙沟槽表面和位于非空隙沟槽表面间的空隙沟槽，所述空隙沟槽具有第一开口；去除空隙沟槽侧壁与非空隙沟槽表面之间的拐角处的部分第一材料层，使空隙沟槽形成第二开口，所述第二开口大于第一开口；在第一材料层上形成第二材料层并填充空隙沟槽。本发明通过先使待填充的空隙沟槽的开口增大，可以防止后续填充的材料填充空隙沟槽不充分导致空洞的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 空隙 沟槽 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种填充空隙沟槽的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一材料层，所述第一材料层表面包括非空隙沟槽表面和位于非空隙沟槽表面间的空隙沟槽，所述空隙沟槽具有第一开口；去除空隙沟槽侧壁与非空隙沟槽表面之间的拐角处的部分第一材料层，使空隙沟槽形成第二开口，所述第二开口大于第一开口；在第一材料层上形成第二材料层并填充空隙沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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