[发明专利]在铜表面形成精氨酸自组装缓蚀膜的方法无效
申请号: | 200810202851.9 | 申请日: | 2008-11-18 |
公开(公告)号: | CN101487124A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 张大全;何先明;蔡奇睿;高立新 | 申请(专利权)人: | 上海电力学院 |
主分类号: | C23F11/00 | 分类号: | C23F11/00 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 200090上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种在铜表面形成精氨酸自组装缓蚀膜的方法,包括下列步骤:a.将纯铜先经1#~6#逐级打磨抛光、无水乙醇除油、去离子水洗净后,备用;b.浓度为1×10-2mol/L~1×10-4mol/L的精氨酸溶液和浓度为5×10-3mol/L的KI溶液组成了混合自组装溶液;c.将铜浸泡在混合自组装溶液中,浸泡温度为室温,组装时间为2~6h。本发明采用的缓蚀剂精氨酸是一种绿色、环保型缓蚀剂,对环境没有危害。电化学数据表明铜在精氨酸组装溶液中的最佳组装浓度为10-3mol/L,当有碘离子加入到组装溶液中时,组装膜的缓蚀效率得到大大的提高。 | ||
搜索关键词: | 表面 形成 精氨酸 组装 缓蚀膜 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种在铜表面形成精氨酸自组装缓蚀膜的方法,包括下列步骤:a. 将纯铜先经1#~6#逐级打磨抛光、无水乙醇除油、去离子水洗净后,备用;b. 浓度为1×10-2mol/L~1×10-4mol/L的精氨酸溶液和浓度为5×10-3mol/L的KI溶液组成了混合自组装溶液;c. 将铜浸泡在混合自组装溶液中,浸泡温度为室温,组装时间为2~6h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海电力学院,未经上海电力学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810202851.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。