[发明专利]红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法

摘要

本发明公开了一种红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于红外焦平面探测芯片表面旋转涂敷一层AZ系列光刻胶的稀释剂以填充微台面列阵隔离深沟槽的底部大部分体积的物理空间，再在微台面列阵芯片上旋转涂敷HgCdTe红外焦平面探测芯片加工工艺常规使用的AZ系列光刻胶AZ1500的技术方案，有效解决了常规的涂敷工艺在匀胶后常出现深隔离沟槽光刻胶堆积，而微台面列阵顶部、特别是微台面侧壁的光刻胶又覆盖得很薄的问题。本发明方法具有与HgCdTe探测芯片常规光刻工艺完全兼容，无需高温操作，低成本等特点。

主权项

1. 一种红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法，其特征在于它包括以下步骤：A. 将有高深宽比沟槽隔离和表层长有钝化膜介质层的碲镉汞深微台面列阵芯片，放置在干燥烤箱内烘烤20-30分钟，温度为55-65℃；B. 将从干燥烤箱内取出的碲镉汞深微台面列阵芯片，放置在旋转匀胶机的样品台上，并在碲镉汞深微台面列阵芯片表面滴加2-6毫升光刻胶稀释剂，启动旋转匀胶机的旋转按钮，开始在碲镉汞深微台面列阵芯片表面旋转涂敷光刻胶稀释剂，转速为2000-4000转，匀胶时间为20-40秒；C. 在涂敷有稀释剂的碲镉汞深微台面列阵芯片表面滴加2-6毫升光刻胶，启动旋转匀胶机的旋转按钮，开始在碲镉汞深微台面列阵芯片表面旋转匀胶，转速为2000-4000转，匀胶时间为20-40秒；D. 将碲镉汞深微台面列阵芯片从旋转匀胶机的样品台上取下，并放入干燥烤箱内进行前烘，时间为20-40分钟，温度为60-70℃。