[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200810203543.8 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101740432A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘明源;何永根;刘云珍 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括：测量热处理工艺后的晶圆变形量；基于晶圆变形量和投影偏差量的关系，若所述晶圆变形量对应的投影偏差量超出工艺规格，则修正所述晶圆变形，以减少投影偏差量。所述半导体器件的制造方法降低由于晶圆变形而对后续工艺产生的偏差，从而提高了半导体器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：测量热处理工艺后的晶圆变形量；基于晶圆变形量和投影偏差量的关系，若所述晶圆变形量对应的投影偏差量超出工艺规格，则修正所述晶圆变形，以减少投影偏差量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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