[发明专利]硅片预对准的方法

摘要

本发明提供了一种硅片预对准的方法，主要从优化控制和误差补偿等几个方面提高硅片预对准的精度与效率。采用步进落差法来对缺口进行初步的定位，确定其大概位置，采用基准法计算缺口最低点位置；补偿缺口采集点数据，应用矩阵拟合的方式计算硅片形心，在很大程度上提高了形心计算的精度，且只需CCD线性传感器的一次采样数据便可精确定位，大大提高预对准的精度和效率。另外，修正预对准的误差来纠正硅片形心计算误差，以进一步提高预对准的精确度。

主权项

1、一种硅片预对准的方法，应用于硅片预对准装置中，该硅片预对准装置具有旋转台、CCD传感器及定心台，所述硅片预对准的方法包括对硅片形心的定位步骤及对硅片缺口的定位步骤，其特征在于，所述对硅片形心的定位步骤包括以下子步骤：通过旋转台带动硅片旋转，并利用CCD传感器对硅片边缘的数据进行采样，获得采样数据；对所述采样数据采用等差法来补偿缺口数据，并由矩阵拟合算法算出硅片形心；以及透过定心台与旋转台对硅片的操作，将上述硅片形心与旋转台的旋转中心重合，从而完成硅片形心的定位，所述硅片缺口的定位步骤包括以下子步骤：根据所述采样数据，采用步进落差法求出硅片缺口最低点位置坐标；将硅片缺口旋转至CCD传感器附近，对所述硅片缺口进行边缘细采样，获得细采样数据；根据细采样数据，以缺口最低点位置坐标作为初始估计值，然后在缺口内以该初始估计值为中心，前后各取若干个采样点，采用矩阵拟合法求出缺口对应圆弧的圆心坐标，该圆弧的圆心和旋转中心连线与硅片边缘的交点即为缺口中心；以及将缺口中心旋转指定的角度，完成硅片的缺口定位。