[发明专利]双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810203812.0 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101752412A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;季明华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及双极晶体管及其制造方法。其中，双极晶体管的制造方法包括步骤：在半导体衬底上形成有源区；在所述有源区上形成覆盖或部分覆盖基区的基极；对有源区的暴露部分进行垂直轻掺杂；对有源区的暴露部分进行倾斜重掺杂。与现有技术相比，本发明对发射区和集电区先进行垂直轻掺杂再进行倾斜重掺杂，可以一次性形成与基区接触的重掺杂的发射区，以及在基区和重掺杂的集电区之间的轻掺杂的缓冲区，从而可以通过控制重掺杂角度来控制发射区和集电区之间的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管，包括形成在半导体衬底上的基区、发射区和集电区，其特征在于：所述集电区和基区之间还包括缓冲区，所述缓冲区的掺杂类型与集电区相同，但掺杂浓度小于集电区；所述缓冲区与集电区之间的界面以及所述发射区与基区的界面在平行于基区长度方向的平面内倾斜于所述半导体衬底表面。
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