[发明专利]一种氧化锌掺杂气敏薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810203888.3 | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101424653A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 刘延辉;周细应;何佳 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;G01N27/00 |
| 代理公司： | 上海三方专利事务所 | 代理人： | 吴干权 |
| 地址： | 201620上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于磁控溅射沉积气敏薄膜技术领域，具体的说是一种氧化锌掺杂气敏薄膜的制备方法，在超高真空磁控溅射镀膜装置中采用金属锌作为靶材，或用金属锌作为靶材基质并将所要掺杂的呈独立块状的氧化物或呈独立块状的单质金属均匀分布在溅射刻蚀区组成的复合靶作为靶材；以管状绝缘材料或片状绝缘材料为基底，控制基底匀速转动进行磁控溅射沉积薄膜；然后进行热氧化处理，得到气敏薄膜。与现有技术相比，本发明工艺简单，制备的气敏薄膜厚度精确，成分均匀，结构稳定，生产效率高，制备的气敏薄膜厚度精确，成分均匀，结构稳定，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 掺杂 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化锌掺杂气敏薄膜的制备方法，其特征在于其制备步骤为：(1)磁控溅射沉积薄膜：在超高真空磁控溅射镀膜装置中采用金属锌作为靶材，或用金属锌作为靶材基质并将所要掺杂的呈独立块状的氧化物或呈独立块状的单质金属均匀分布在溅射刻蚀区组成的复合靶作为靶材；以管状绝缘材料或片状绝缘材料为基底，磁控溅射工艺为背景真空度<8.0×10-4Pa，工作气体高纯氩气，溅射压力4-0.01Pa，基底80-10转/分钟匀速转动进行磁控溅射沉积薄膜；(2)热氧化处理：将沉积的薄膜转移至空气电阻炉中，在1100℃—400℃的温度区间，保温1-120min，得到气敏薄膜。
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