[发明专利]掺碳的氮化硼长余辉材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810203908.7 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101418216A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 刘小峰;乔延波;董国平;阮健;张光;林耿;邱建荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C09K11/65 | 分类号： | C09K11/65;C01B35/08 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺碳的氮化硼长余辉材料及其制备方法，该材料的原料为硼酸、尿素和掺杂用的平均分子量为20000的聚乙二醇，所述的硼酸、尿素和聚乙二醇的质量比为：1∶(2～4)∶(0.2～1)，该材料具有乱层石墨状结构，由硼、氮、碳及少量氧元素组成。本发明材料的原料价格便宜，合成设备简单，合成温度较低，余辉发光波段可通过调整原料的成分进行调节。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 余辉 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺碳的氮化硼长余辉材料，其特征在于该材料的原料为硼酸、尿素和掺杂用的平均分子量为20000的聚乙二醇，所述的硼酸、尿素和聚乙二醇的质量比为：1∶(2～4)∶(0.2～1)，该材料具有乱层石墨状结构，由硼、氮、碳及少量氧元素组成。
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