[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810203921.2 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101752415A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 龚大卫;邵凯 | 申请（专利权）人： | 上海芯能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 200001 上海市黄浦区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，包括金属层、P+区、场终止层、N-区、P区、N+区、栅氧层及硅栅层。该场终止层包含N型硅锗合金。本发明还提供一种制造绝缘栅双极晶体管的方法。因本发明所提供的绝缘栅双极晶体管，利用包括N型硅锗合金的场终止层作为反向击穿终止层，进一步增强过剩少子空穴复合几率，从而减少了绝缘栅双极晶体管的关断时间并提高了关断速度，进而提高了电路效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，包括金属层、P+区、N-区、P区、N+区、栅氧层及硅栅层，其特征在于，该绝缘栅双极晶体管还包括包含N型硅锗合金的场终止层。
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